Установка монтажа кристалов УМС-1ПК в Новосибирске
Установка предназначена для механизированного монтажа полупроводниковых кристаллов в корпус или на плату. Установка подходит для мелкосерийного производства изделия электронной техники. Установка позволяет производить монтаж полупроводниковых кристаллов с применением следующих технологий – монтажа кристаллов с помощью дозирования клея или методом штемпелевания клея. Механизированная установка УМС-1ПК настольного исполнения. Расчетная производительность установки 1,5-2 тысяч приборов в смену.
Поставки установок микросварки и других изделий микроэлектроники осуществляются по всей России. Доставка осуществляется посредством транспортной компании, для постоянных клиентов возможны индивидуальные условия. Центральный офис компании располагается в городе Нижний Новгород. Также нижегородцев и гостей города приглашаем посетить нашу выставку технологического сборочного оборудования для изделий микроэлектроники.
Технологические возможности
• Процессорный блок управления для дозирования клея.
• Монтажная головка для захвата полупроводникового кристалла с помощью вакуума с возможностью перемещения по оси Z от ручки.
• Монтажная головка с дозатором клея (шприца) для нанесения клеевой композиции или с инструментом для штемпелевания при посадке полупроводникового кристалла с возможностью перемещения по оси Z от ручки.
• Микроманипулятор для перемещения монтажной головки с вакуумным захватом по осям X, Y.
• Микроманипулятор для перемещения монтажной головки с дозатором клея по осям X, Y.
• Предметный столик с возможностью регулировки по оси Z (на ±10 мм) состоящий из трех технологических позиций:
а) для фиксации упаковки типа «гель пак» с полупроводниковыми кристаллами (или плоской поверхности с зеркальной подложкой, на который укладываются кристаллы россыпью).
б) для фиксации технологического носителя (платы) размером 48х60, на которой производится монтаж кристаллов на клей.
в) для фиксации ванночки с механизмом растирки клея или пасты.
Технические характеристики
| Размер присоединяемых кристаллов, мм | от 0,3х 0,3 до 10х10 |
| Минимальная высота кристалла, мм | 0,1 |
|
Ход манипулятора (прецизионное перемещение) по осям Х,Y для технологической головки с вакуумным захватом, мм. |
10х10 |
|
Ход манипулятора (прецизионное перемещение) по осям Х,Y для технологической головки с дозатором, мм |
10х10 |
|
Грубое ручное перемещение предметного стола по координатам X,Y и по углу F, мм/градусы |
100х100 /180 |
|
Точность монтажа полупроводникового кристалла в корпус или на плату относительно «реперных» знаков, мкм |
±25 |
| Усилие сжатия | регулируемое |
| Диапазон регулирования усилия сжатия, Н | 1 – 2.5 |
| Микропроцессорное управление | в наличие |
| Возможность цикличной настройки (доза-пауза) | в наличие |